Изделия специального назначения частного применения. Модули без встроенного управления

   ФОТОАЛЬБОМ - всё о силовой электронике.

             Модули стойкие к спецвоздействиям без управления представлены сборками MOSFET- и IGBT-транзисторов, быстровосстанавливающихся диодов и диодов Шоттки. Модули предназначены для работы в транзисторных и диодных преобразователях с пиковым напряжением до 1200 В и током нагрузки до 240 А с внешними схемами управления. В модулях используются комплектующие, имеющие приёмку «5».

           Данные модули не являются комплектующими изделиями межотраслевого применения (КИМП) по ГОСТ РВ 51540-2005 и не входят в "Перечень электронной компонентной базы, разрешенной для применения при разработке, модернизации, производстве и эксплуатации вооружения, военной и специальной техники" (Перечень ЭКБ 02-2016). Эти изделия разрабатывались для применения в конкретных образцах ВВТ со специфическими требованиями назначения и применения по условиям ВВФ, поставка их возможна после согласования технических условий заказывающим предприятием и военным представительством при нем. (ГОСТ 2.114-2016 п.п.6.2, 6.7 раздела Порядок согласования и утверждения технических условий).

Тип	Схема	Описание	U,В	I,А	Корпус	Паспорт
На основе MOSFET-транзисторов
5М9		Одиночный транзистор	100	100	М3
			200	80
			60, 100, 200	50, 75, 100	Е2
				200, 250, 300, 400	ДМ
5М9-Т			200	200	ДМ
				400	ДМ
5М10		Нижний ключ	100, 200	40, 50	М3
5М11		Верхний ключ	100, 200	40, 50	М3
5М12		Полумост	60, 100, 200	25, 50, 75,	Е2
				100, 150, 200	ДМ
5М12.1		Два встречно включенных транзистора	60, 100, 200	25, 50, 75	Е2
				100, 150, 200	ДМ
5М13А		Транзисторный трехфазный  инвертор	200	50	ДМ
				10, 20, 40	М1
				20	Каркас
5М13Б		Транзисторный двухфазный  инвертор	200	10, 20, 50	М1
				20	Каркас
На основе IGBT-транзисторов
5М9		Одиночный транзистор	600,1200	75	Е2
				100, 150, 200, 300	ДМ
				50, 75, 100	М3
5М10		Нижний ключ	600, 1200	75	Е2
				100, 150, 200	ДМ
			1200	150	М1
				75	М2
				150	Е3
			600, 1200	25, 30	М3
5М11		Верхний ключ	600, 1200	75	Е2
				100, 150, 200	ДМ
			1200	150	М1
				75	М2
				150	Е3
			600, 1200	25, 30	М3
5М12		Полумост	600, 1200	100, 150, 200	ДМ
				75	Е2
			1200	150	М1
				75	М2
				150	Е3
5М12.1		Два встречно включенных транзистора	600, 1200	75	Е2
				100, 150	ДМ
5М13А		Транзисторный трехфазный  инвертор	1200	50	ДМ
				25	М1
5М13Б		Транзисторный двухфазный  инвертор	1200	50	ДМ
				75	М1
На основе диодов Шоттки
5М4Ш		Общий катод-анод	200	60, 120, 180	Е2
				240, 300, 360	ДМ
				240, 360	М1
5М4.1Ш		Одиночный диод		60, 120, 180	Е2
				240, 300, 360	ДМ
				240, 360	М1
5М4.2Ш		Общий катод		60, 120, 180	Е2
				240, 300, 360	ДМ
				240, 360	М1
5М4.3Ш		Общий анод		60, 120, 180	Е2
				240, 300, 360	ДМ
				240, 360	М1
5М4.4Ш		Два одиночных диода	200	60	М3
5М4.5Ш
5М5Ш		Однофазный диодный мост	200	120	ВМ
				240, 360	ДМ
				240, 360	М1
				120	М3
5М6Ш		Трехфазный диодный мост	200	180, 360	ДМ
На основе БВД
5М4БВД		Общий катод-анод	1200	75, 150	Е2
				200, 300	ДМ
				150, 300	М1
5М4.1БВД		Одиночный диод		75, 100	Е2
				200, 300, 450	ДМ
				150, 300	М1
5М4.2БВД		Общий катод		75, 100	Е2
				200, 300	ДМ
				150, 300	М1
5М4.3БВД		Общий анод		75, 100	Е2
				200, 300	ДМ
				150, 300	М1
5М4.4БВД		Два одиночных диода	600	75, 120	М3
			1200	50, 75
5М4.5БВД		Два одиночных диода	600	75, 120	М3
			1200	50, 75
5М5БВД		Однофазный диодный мост	1200	150, 300	ДМ
			1200	150, 300	М1
			400	80	М3
			600	60
			1200	50, 100