Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

telegram-logo  YouTube  ФОТОАЛЬБОМ   - всё о силовой электронике.

  Название     Описание

Паспорт
Стадия разработки Срок окончания работы
ОКР Изделие
Интеллектуальные драйверы (новые разработки)
Разрабатываются на основе последних современных технических решений для построения преобразователей в областях от стандартных применений до транспортной и автомобильной тематики.

 

 

 

 

 

 

 

 

Драйвер

Plug n Play

 

 

 

 

 

 

ДР2180П-Б,

ДР2180П-Б6,

ДР2180П-Б7,

ДР1180П-Б1,

ДР6180П-Б2,

ДР6180П-Б3,

ДР2180П-БВ

 

Номенклатура двух-, четырех- и шестиканальных драйверов для управления модулями на основе IGBT транзисторов в конструктивах модулей 62 мм, EconoPack, EconoPack 2, EconoPack 3, HybridPack 1, HybridPack DR, XHP, Semix 13, RX type, MPD type, SP4, SP6 и других.

Базовые характеристики разрабатываемых драйверов:

- управление полумостами;

- управление двух- и трехфазными инверторами;

- частота сигнала управления — до 50 кГц;

- импульсный ток — до 35 А;

- мощность на канал — до 4 Вт.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

  

 

  

по запросу 

 

 

 

  

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 

 

 

 

IV кв. 2022г. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 Драйвер SIC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ДР2200П-Б1,

 ДР2200Р-Б2,

ДР2150П-Б1,

ДР2150П-Б2,

ДР2150П-Б3

Номенклатура двухканальных драйверов для управления модулями на основе карбид кремниевых транзисторов (SIC) в конструктивах модулей 62 мм, FM3, GM3, XM3, HM3 и других.

Базовые характеристики разрабатываемых драйверов:

- частота сигнала управления — до 200 кГц;

- импульсный ток — до 20 А;

- мощность на канал — до 4 Вт. 

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

по запросу 

 

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 

IV кв. 2023г. 

 

 

 

 

 

 

 

 Программиру-емый 

драйвер SIC

МД2150П-Б-МК

Двухканальный драйвер для управления модулями полумостов на основе карбид кремниевых транзисторов (SIC) на напряжения 1200 В и 1700 В. Драйвер полностью настраивается через интерфейс программирования, включая изменение скоростей переключения выходного каскада, настройку порога напряжения насыщения, настройку мертвого времени на переключения и задержек по срабатыванию защиты и т. д.

Базовые характеристики разрабатываемого драйвера:

- частота сигнала управления — до 200 кГц;

- импульсный ток — до 12 А;

- мощность на канал — до 4 Вт. 

Возможна поставка опытного образца.

 

  

 

 

 

 

 

 

по запросу 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 

 

 

 

IV кв. 2022г.

 

 

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

Драйвер GaN

 

Драйвер для управления мощными нитрид галлиевыми транзисторами (GaN).

Базовые характеристики разрабатываемого драйвера:

- частота сигнала управления — до 1МГц;

- импульсный ток — до 8 А;

- мощность на канал — до 4 Вт. 

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

по запросу 

 

 

 

 

 

по запросу

 

 

 

 

IV кв. 2022г. 

 

 

 

 

 

 

-

 

 

 


Программиру-емый 

драйвер 

ДР1350П-БВ1-МК

Программируемый высоковольтный драйвер для управления мощными IGBT  или MOSFET транзисторами с возможностями программного изменения настроек драйвера.

Базовые характеристики разрабатываемого драйвера:

- частота сигнала управления — до 20 кГц;

- импульсный ток — до 35 А;

- мощность на канал — до 4 Вт. 

 

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

по запросу

 

 

 

 

 

 

по запросу

 

 

 

 

 

IV кв. 2023г. 

Интеллектуальные модули и драйверы

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 Драйверы-аналоги

 

 

 

 


 

 

 

 


 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

МД2150П-Б2 

Двухканальный драйвер мощных транзисторов с импульсным током до 15А предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с полевым управлением (MOSFET или IGBT), является функциональным аналогом драйвера Skyper 32R.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 PDF

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

IV кв. 2022г.

 

 

 

 

 

МД2150П-Б2-01

Двухканальный драйвер транзисторов с импульсным током до 15 А с возможностью настройки "мертвого" времени предназначен для гальванически развязанного управления двумя транзисторами с полевым управлением, является функциональным аналогом Skyper 32Pro.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 PDF

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

IV кв. 2022г. 

 

 

 

 

 

МД220П-Б2 

Двухканальный драйвер транзисторов с управляющим сигналом до 50 кГц, с импульсным током до 6 А, с настраиваемым временем пересброса управляемого транзистора после аварии, с зависимым типом управления ключей предназначен для управления силовыми ключами, коммутирующими 600-1200В, является аналогом 2SC0106t.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

по запросу

 

 

 

 

Эскизный проект 

 

 

 

 

IV кв. 2023г.

 

 

 

 

2МД120П-Б2 

Двухканальный драйвер транзисторов с управляющим сигналом до    50 кГц, с импульсным током до 6 А, с настраиваемым временем пересброса управляемого транзистора после аварии, с независимым типом управления ключей предназначен для управления силовыми ключами, коммутирующими 600-1200 В.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

по запросу

 

 

 

 

Эскизный проект 

 

 

  

 

IV кв. 2023г. 

 

 

 

 

 

  Драйвер SIC

 

 

 

 

 

 

 

МД2200П-Б(Б1) 

 Модуль драйвера IGBT- и карбид-кремниевых транзисторов с зависимым управлением предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными карбид-кремниевыми транзисторами (SiC-MOSFET) или IGBT-транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В, с частотой управляющего сигнала до 200кГц. 

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 PDF

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

II кв. 2022г. 

 

 

 

 

 

 

 

Мегаполис МИ

 

 

 

 

 

 

 

5ВИ-25-6-А

Представляет собой сборку трехфазного диодного выпрячмительного моста на основе быстровосстанавливающихся диодов, трехфазного инвертора и реле на основе IGBT-транзисторов, схемы управления. Предназначен для управления нагрузкой при величинах коммутируемого напряжения не более 210 В (AC, трехфазное) или 300 В (DС) и токе инвертора не более 25 А, в частности вентильными электродвигателями в аппаратуре специального назначения.

Приемка ВП.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

 

 

По запросу

 

 

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 

 

 

IV кв. 2022г.

 

 

 

 

Крыло - 2

 

 

 

 

1МИ-10-6-А

Представляет собойсборку трехфазного инвертора на основе IGBT-транзисторов и схемы управления. Предназначен для управления нагрузкой (коммутируемое напряжение не более 300 В (DC), ток инвертора не более 10 А) в диапазоне температур эксплуатации от -60 ºС до +100 °С, в частности вентильными электродвигателями в аппаратуре специального назначения.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 По запросу

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 IV кв. 2022г.

 

 

 

 

5М31

 

 

 

 

5М31МА-20-2

Представляет собой сборку силовых транзисторов (трехфазный инвертор) с цепями управления (драйверами). Предназначен для управления нагрузкой (коммутируемое напряжение не более 130 В, ток инвертора не более 20 А) , в частности вентильными электродвигателями. Габаритные размеры: 70х29х20,5 мм.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 По запросу

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 IV кв. 2022г.

Преобразователь напряжения

 

 

 

 

  

-

 

 

 

 

 

 

 И-ПОЕ-Т

 

Преобразователь напряжения с расширенным температурным диапазоном предназначен для преобразования напряжения постоянного тока напряжением 24/27 В в переменное синусоидальное напряжение    230 В частотой 50 Гц мощностью 300 Вт. Нагрузкой преобразователя могут быть электродвигатели, активная и индуктивная нагрузка, электронные устройства.

 

 

 

 

 PDF

 

 

 

 

Эскизный проект 

 

 

 

 

Блок реверсивного управления

 

 

 

 

БРУТ

 

 

 

 

 

БРУТ

Представляет собой многофункциональный тиристорный пускатель с микропроцессорным управлением, предназначен для плавного запуска, торможения и реверсирования трехфазных асинхронных электродвигателей мощностью до 15 кВт.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

По запросу

 

 

 

 

  Разработка 

 

 

 

 

 IV кв. 2022г.

Драйвер тиристора

 

 

 

 

 -

 

 

 

 

 

 ДТУ 

Предназначен для управления тиристорными преобразователями. Основным концептуальным отличием данного драйвера является использование трансформаторной развязки с применением частотного заполнения управляющих импульсов тока.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

PDF

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

II кв. 2022г. 

 

 

 

ДТУ-DIN

 

 

 

ДТУ-DIN 

Представляет собой универсальный драйвер для управления тиристорами в составе различных схем регуляторов мощности и выпрямителей в конструктивном исполнении на DIN-рейку.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

По запросу

 

 

 

Разработка

 

 

 

IV кв. 2022г.

Тиристорные, диодные, транзисторные модули

 

 

 

 

Высоковольтный ключ

 

 

 

 

 

 

Представляет собой полумостовой твердотельный коммутатор, предназначенный для замены устаревших коммутаторов, выполненных на вакуумных и газоразрядных приборах. Применяется в лазерной и радиолокационной технике (управление электрооптическими затворами лазеров, управление модуляторными сетками клистронов).

 

 

 

 

 

По запросу

 

 

 

 

 

Эскизный проект 

 

 

 

 

 

-

 

 

 

 

Модуль 2200 В

 

 

 

 

-

Номенклатура разрабатываемых модулей включает в себя три схемотехнических исполнения М1 (два последовательно соединенных тиристора), М1.1 (одиночный тиристор), М1.2 (два последовательно соединенных тиристора с общим катодом) с номинальными токами от 25 до 250 А и классификационным напряжением 2200 В.

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

По запросу

 

 

 

  

 

Разработка

 

 

 

 

 

II кв. 2022г. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СМ-2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1М10, 1М11,

1М12, 1М13

В соответствии с требованиями положения о порядке применения электронной компонентной базы категории качества "ОТК" РЭК 05.001/2-2019" разрабатываются силовые модули на основе быстровосстанавливающихся диодов и IGBT -транзисторов. Модули предназначены для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специального назначения. Коммутируемый ток модуля до 150 А, пиковое напряжение – от 200 до 1200 В. Номенклатура модулей:

1М10 – нижний ключ (в конструктивном исполнении М2);

1М11 – верхний ключ (в конструктивном исполнении М2);

1М12 – полумост (в конструктивном исполнении М2);

 

1М13 – двух- и трёхфазный инвертор (в конструктивных исполнениях М1, ДМ).

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

По запросу

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

 

IV кв. 2022г.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  

 

СМ-3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1М9, 1М10, 1М11, 1М4.4Ш, 1М4.5Ш, 1М5Ш, 1М4.4БВД, 1М4.5БВД, 1М5БВД

В соответствии с требованиями положения о порядке применения электронной компонентной базы категории качества "ОТК" РЭК 05.001/2-2019" разрабатываются силовые модули на основе быстровосстанавливающихся диодов и  IGBT -транзисторов в корпусе М3. Модули предназначены для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специального назначения. Коммутируемый ток модуля до  120 А, пиковое напряжение – до 1200 В. Номенклатура модулей:

1М9 – одиночный ключ;

1М10 – нижний ключ;

1М11 – верхний ключ;

1М4.4Ш, 1М4.5Ш – два одиночных диода Шоттки;

1М5Ш  однофазный выпрямительный мост на основе диодов Шоттки;

1М4.4БВД, 1М4.5БВД  два одиночных БВД;

1М5БВД – однофазый выпрямительный мост на основе БВД.  

Возможна поставка опытного образца.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

По запросу

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Разработка

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IV кв. 2022г.

  

 

 

 

 

ОКР «СМ-3»

            Стадия: разработка

            Поставка изделия: опытный образец  

В соответствии с ОКР «СМ-3» разрабатываются силовые модули на основе быстровосстанавливающихся диодов и IGBT -транзисторов в корпусе М3. Модули предназначены для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специального назначения. Коммутируемый ток модуля до  120 А, пиковое напряжение – до 1200 В. Номенклатура модулей:

5М9 – одиночный ключ (в конструктивном исполнении М3);

5М10 – нижний ключ (в конструктивном исполнении М3);

5М11 – верхний ключ (в конструктивном исполнении М3);

5М4.4Ш, 5М4.5Ш – два одиночных диода Шоттки;

5М5Ш  однофазный выпрямительный мост на основе диодов Шоттки;

5М4.4БВД, 5М4.5БВД  два одиночных БВД;

5М5БВД – однофазый выпрямительный мост на основе БВД.  

Более подробная информация предоставляется по запросу потребителя по тел.: 8(4862)44-03-48

    или e-mail: Этот адрес электронной почты защищен от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

mail@electrum-av.com

Top Desktop version