Наименование изделия
|
Описание
|
Паспорт |
Стадия разработки |
Драйверы |
ДР1270П-БВ1-(12...33)
|
Одноканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 3300 В.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 10 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1SD536F2*.
-Драйверы ДР1270П-БВ1-(01...06) предназначены для силовых модулей: CM2400HCB-34N, CM1200E4C-34N, MDTKI2-1200-17-2KT, CM1800HC-34N, FD1200R17HP4-K B2.
|
|
Запущен в производство
|
ДР1270П-БВ1-(01...06)
|

|
Запущен в производство
|
ДР1270П-БВ2
|
Одноканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 1700 В.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 10 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-Предназначен для эксплуатации в составе с модулем TIM1200DDM17-TSA000 в схеме нижнего или верхнего ключа.
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ
|
Одноканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1SP0350V2A0-45*.
-ДР1350П-БВ-01 предназначен для управления силовым модулем T2400GB45E.
- ДР1350П-БВ-02 предназначен для управления силовым модулем CM400HG-66H-009.
- ДР1350П-БВ-03 предназначен для управления силовым модулем FZ250R65KE3.
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ-01
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ-02
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ-03
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ2
|
Одноканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1IPSE1A65-105H*.
-ДР1350П-БВ2-01 предназначен для управления силовым модулем CM400HG-66H-009.
-ДР1350П-БВ2-02 предназначен для управления силовым модулем FZ250R65KE3.
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ2-01
|

|
Запущен в производство
|
ДР1350П-БВ2-02
|

|
Запущен в производство
|
ДР2180П-Б
|
Двухканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В или 3300 в (ДР2180П-Б7).
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-ДР2180П-Б6 выполнен в конструктиве 62 мм.
-ДР2180П-Б7 выполнен в конструктиве "XHP".
|

|
Запущен в производство
|
ДР2180П-Б6
|

|
Запущен в производство
|
ДР2180П-Б7
|

|
Запущен в производство
|
ДР2180П-БВ
|
Двухканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-ДР2180П-БВ-01 предназначен для управления силовым модулем CM1000DU-34NF.
-ДР2180П-БВ-02 предназначен для управления силовым модулем CM1200DU-34S.
-ДР2180П-БВ5 конструктивно и функционально аналогичен драйверу 2SB315B *.
|

|
Запущен в производство
|
ДР2180П-БВ-01(02)
|

|
Запущен в производство
|
ДР2180П-БВ5
|

|
Запущен в производство
|
ДР1180П-Б1
|
Одноканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 1700 В.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-Выполнен в конструктиве "MPD".
|

|
Запущен в производство
|
ДР2200П-Б1
|
Двухканальный драйвер
-Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными карбид-кремниевыми транзисторами (SiC-MOSFET) или IGBT-транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 200 кГц.
-Выполнен в конструктиве "62 мм".
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
|

|
Запущен в производство
|
МД2150П-Б-МК
|
Программируемый драйвер
-Предназначен для зависимого или независимого управления двумя SIC или IGBT транзисторами до 1700 В с гальванической изоляцией прочностью не менее 2500 В (AC).
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.
|
|
В разработке
|
МД2300П-Б1
|
Двухканальный драйвер
-Предназначен для управления двумя мощными транзисторами с полевым управлением.
-Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 60 кГц.
-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.
-Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 2ED300E17*.
|

|
Запущен в производство
|
ДТУ
|
Драйвер тиристорный универсальный предназначен для управления тиристорными преобразователями различных конфигураций (в том числе по IEC971 1989). Основным концептуальным отличием данного драйвера является использование трансформаторной развязки с применением частотного заполнения управляющих импульсов тока.
|

|
Запущен в производство
|
Силовые модули |
М9
|
Одиночный транзисторный ключ на основе IGBT транзистора. Предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
|

|
Запущен в производство
|
М10
|
Последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод в цепи коллектора (нижний ключ). Предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях.
|

|
Запущен в производство
|
М11
|
Последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод в цепи эмиттера (верхний ключ). Предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях.
|

|
Запущен в производство
|
М12
|
Два последовательно соединенных транзисторных ключа (полумост) на основе IGBT транзистора. Предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
|

|
Запущен в производство
|
Модули в корпусе Е3
|
Модули транзисторные типа М10, М11, М12, являющиеся конструктивными аналогами модулей фирм Semikron и Infineon.
|

|
В разработке
|
Модули в корпусе М1
|
Модули транзисторные типа М9.1 (последовательно соединенные транзисторный ключ и FRD диод в цепи коллектора (общий катод – коллектор), М10, М11, М12, М12.1 (два последовательно соединенных транзисторных ключа с общим эмиттером), М13А1 (три полумоста), М13А4 (транзисторный мост и нижний ключ), М13Б (транзисторный мост), М13Б1 ("косой" мост), являющиеся конструктивными аналогами модулей Microsemi.
|

|
В разработке
|
Модули в корпусе М2
|
Модули транзисторные типа М10, М11, М12, М12.1, М13Б1, являющиеся конструктивными аналогами модулей Microsemi.
|
 |
В разработке |
Модули 17 класса
|
Модули транзисторные типа М12 с пиковым напряжением 1700 В, предназначен для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей. Модуль является аналогом FF200R17KE3*.
|

|
Запущен в производство
|
Блок реверсивного управления тиристорный |
БРУТ-1
|
Многофункциональный тиристорный пускатель с микропроцессорным управлением (обеспечивает высокую точность работы и простоту управления), предназначен для плавного запуска, торможения и реверсирования трехфазных асинхронных электродвигателей мощностью до 30 кВт. Количество и диапазон настроек БРУТ позволяют адаптировать используемый электропривод под необходимые для потребителя режимы работы. Областью применения БРУТ являются регулирующие и запорные задвижки трубопроводной арматуры, кран-балки, рольганги, станки и другие механизмы, где необходимо реверсивное управление приводом.
|

|
В разработке
|
Коммутаторы мощных нагрузок |
КМН-1
|
Предназначен для коммутации активной или активно-индуктивной нагрузки в однофазных (трехфазных) цепях переменного тока напряжением 220/380 В частотой 50 Гц.
Применяется в системах автоматического регулирования температуры и других технологических параметров.
Работает в комплекте с управляющими устройствами (стороннего производителя), имеющими выходной сигнал постоянного тока от 4 до 32 В.
|

|
В разработке
|
КМН-3
|

|
В разработке
|
Специализированные изделия категории качества "ОТК" |
1ДР2120П-А1
|
Предназначен для зависимого гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В. Драйвер является усилителем – формирователем сигналов управления затворами транзисторов с частотой до 100 кГц. |

|
Запущен в производство
|
1М4.2ША-80-0,6
|
Представляет собой два диода Шоттки с общим катодом, предназначен для применения в составе мощных преобразователей. |

|
Запущен в производство
|
1М5Ш-М3
|
Представляет собой однофазный выпрямительный мост, предназначен для выпрямления (преобразования) переменного напряжения в пульсирующее постоянное напряжение. |

|
Запущен в производство
|
1М6Ш к.ДМ
|
Представляет собой трехфазный выпрямительный мост, предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специального назначения. |

|
Запущен в производство
|
1МККТ1А к.МККТ
|
Модуль коммутации и контроля тока с расширенным температурным диапазоном предназначен для коммутации постоянного тока нагрузки, защиты нагрузки и коммутирующего транзистора от перегрузки по току (по критерию I2·t), по температуре и от индуктивных выбросов в цепи нагрузки. Модуль имеет в своём составе схему управления и силовую схему с гальванической развязкой от цепей управления и питания. |
|
Запущен в производство
|
1МККТ1А к.ДМ
|

|
Запущен в производство
|