ФОТОАЛЬБОМ - всё о силовой электронике.
В 2022 году наше предприятие приступило к проработке и разработке ряда изделий: драйверов (транзисторов и тиристоров), силовых модулей на транзисторах Российского производства, блока реверсивного управления тиристорного, коммутаторов мощных нагрузок, специализированных изделий категории качества "ОТК".
|
Наименование изделия |
Описание |
Паспорт | Стадия разработки |
| Драйверы | |||
|
ДР1270П-БВ1-(12...33) |
Одноканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 3300 В. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 10 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1SD536F2*. -Драйверы ДР1270П-БВ1-(01...06) предназначены для силовых модулей: CM2400HCB-34N, CM1200E4C-34N, MDTKI2-1200-17-2KT, CM1800HC-34N, FD1200R17HP4-K B2. |
|
Запущен в производство |
|
ДР1270П-БВ1-(01...06) |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР1270П-БВ2 |
Одноканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 1700 В. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 10 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -Предназначен для эксплуатации в составе с модулем TIM1200DDM17-TSA000 в схеме нижнего или верхнего ключа. |
|
Запущен в производство |
|
ДР1350П-БВ |
Одноканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1SP0350V2A0-45*. -ДР1350П-БВ-01 предназначен для управления силовым модулем T2400GB45E. - ДР1350П-БВ-02 предназначен для управления силовым модулем CM400HG-66H-009. - ДР1350П-БВ-03 предназначен для управления силовым модулем FZ250R65KE3. |
|
Запущен в производство |
|
ДР1350П-БВ-01 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР1350П-БВ-02 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР1350П-БВ-03 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР1350П-БВ2 |
Одноканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1IPSE1A65-105H*. -ДР1350П-БВ2-01 предназначен для управления силовым модулем CM400HG-66H-009. -ДР1350П-БВ2-02 предназначен для управления силовым модулем FZ250R65KE3. |
|
Запущен в производство |
|
ДР1350П-БВ2-01 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР1350П-БВ2-02 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР2180П-Б |
Двухканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В или 3300 в (ДР2180П-Б7). -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -ДР2180П-Б6 выполнен в конструктиве 62 мм. -ДР2180П-Б7 выполнен в конструктиве "XHP". |
|
Запущен в производство |
|
ДР2180П-Б6 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР2180П-Б7 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР2180П-БВ |
Двухканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -ДР2180П-БВ-01 предназначен для управления силовым модулем CM1000DU-34NF. -ДР2180П-БВ-02 предназначен для управления силовым модулем CM1200DU-34S. -ДР2180П-БВ5 конструктивно и функционально аналогичен драйверу 2SB315B *. |
|
Запущен в производство |
|
ДР2180П-БВ-01(02) |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР2180П-БВ5 |
|
Запущен в производство |
|
|
ДР1180П-Б1 |
Одноканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 1700 В. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -Выполнен в конструктиве "MPD". |
|
Запущен в производство |
|
ДР2200П-Б1 |
Двухканальный драйвер -Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными карбид-кремниевыми транзисторами (SiC-MOSFET) или IGBT-транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 200 кГц. -Выполнен в конструктиве "62 мм". -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. |
|
Запущен в производство |
|
МД2150П-Б-МК |
Программируемый драйвер -Предназначен для зависимого или независимого управления двумя SIC или IGBT транзисторами до 1700 В с гальванической изоляцией прочностью не менее 2500 В (AC). -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц. |
|
В разработке |
|
МД2300П-Б1 |
Двухканальный драйвер -Предназначен для управления двумя мощными транзисторами с полевым управлением. -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 60 кГц. -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 2ED300E17*. |
|
Запущен в производство |
|
ДТУ |
Драйвер тиристорный универсальный предназначен для управления тиристорными преобразователями различных конфигураций (в том числе по IEC971 1989). Основным концептуальным отличием данного драйвера является использование трансформаторной развязки с применением частотного заполнения управляющих импульсов тока. |
|
Запущен в производство |
| Силовые модули | |||
|
М9 |
Одиночный транзисторный ключ на основе IGBT транзистора. Предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. |
|
Запущен в производство |
|
М10 |
Последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод в цепи коллектора (нижний ключ). Предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях. |
|
Запущен в производство |
|
М11 |
Последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод в цепи эмиттера (верхний ключ). Предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях. |
|
Запущен в производство |
|
М12 |
Два последовательно соединенных транзисторных ключа (полумост) на основе IGBT транзистора. Предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. |
|
Запущен в производство |
|
Модули в корпусе Е3 |
Модули транзисторные типа М10, М11, М12, являющиеся конструктивными аналогами модулей фирм Semikron и Infineon. |
|
В разработке |
|
Модули в корпусе М1 |
Модули транзисторные типа М9.1 (последовательно соединенные транзисторный ключ и FRD диод в цепи коллектора (общий катод – коллектор), М10, М11, М12, М12.1 (два последовательно соединенных транзисторных ключа с общим эмиттером), М13А1 (три полумоста), М13А4 (транзисторный мост и нижний ключ), М13Б (транзисторный мост), М13Б1 ("косой" мост), являющиеся конструктивными аналогами модулей Microsemi. |
|
В разработке |
|
Модули в корпусе М2 |
Модули транзисторные типа М10, М11, М12, М12.1, М13Б1, являющиеся конструктивными аналогами модулей Microsemi. |
 |
В разработке |
|
Модули 17 класса |
Модули транзисторные типа М12 с пиковым напряжением 1700 В, предназначен для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей. Модуль является аналогом FF200R17KE3*. |
|
Запущен в производство |
| Блок реверсивного управления тиристорный | |||
|
БРУТ-1 |
Многофункциональный тиристорный пускатель с микропроцессорным управлением (обеспечивает высокую точность работы и простоту управления), предназначен для плавного запуска, торможения и реверсирования трехфазных асинхронных электродвигателей мощностью до 30 кВт. Количество и диапазон настроек БРУТ позволяют адаптировать используемый электропривод под необходимые для потребителя режимы работы. Областью применения БРУТ являются регулирующие и запорные задвижки трубопроводной арматуры, кран-балки, рольганги, станки и другие механизмы, где необходимо реверсивное управление приводом. |
|
В разработке |
| Коммутаторы мощных нагрузок | |||
|
КМН-1 |
Предназначен для коммутации активной или активно-индуктивной нагрузки в однофазных (трехфазных) цепях переменного тока напряжением 220/380 В частотой 50 Гц. Применяется в системах автоматического регулирования температуры и других технологических параметров. Работает в комплекте с управляющими устройствами (стороннего производителя), имеющими выходной сигнал постоянного тока от 4 до 32 В. |
|
В разработке |
|
КМН-3 |
|
В разработке |
|
| Специализированные изделия категории качества "ОТК" | |||
|
1ДР2120П-А1 |
Предназначен для зависимого гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В. Драйвер является усилителем – формирователем сигналов управления затворами транзисторов с частотой до 100 кГц. |
|
Запущен в производство |
|
1М4.2ША-80-0,6 |
Представляет собой два диода Шоттки с общим катодом, предназначен для применения в составе мощных преобразователей. |
|
Запущен в производство |
|
1М5Ш-М3 |
Представляет собой однофазный выпрямительный мост, предназначен для выпрямления (преобразования) переменного напряжения в пульсирующее постоянное напряжение. |
|
Запущен в производство |
|
1М6Ш к.ДМ |
Представляет собой трехфазный выпрямительный мост, предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специального назначения. |
|
Запущен в производство |
|
1МККТ1А к.МККТ |
Модуль коммутации и контроля тока с расширенным температурным диапазоном предназначен для коммутации постоянного тока нагрузки, защиты нагрузки и коммутирующего транзистора от перегрузки по току (по критерию I2·t), по температуре и от индуктивных выбросов в цепи нагрузки. Модуль имеет в своём составе схему управления и силовую схему с гальванической развязкой от цепей управления и питания. |
|
Запущен в производство |
|
1МККТ1А к.ДМ |
|
Запущен в производство |
|
*В связи с особенностями схемотехники, конструкции и свойств применяемых материалов, имеются некоторые отличия от оригинала, которые указаны в описании. Перед применением рекомендуем внимательно изучить информацию на изделие.