Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

 telegram-logo YouTube  ФОТОАЛЬБОМ - всё о силовой электронике.

            В 2022 году наше предприятие приступило к проработке и разработке ряда изделий: драйверов (транзисторов и тиристоров), силовых модулей на транзисторах Российского производства, блока реверсивного управления тиристорного, коммутаторов мощных нагрузок, специализированных изделий категории качества "ОТК".  

 

Наименование изделия

Описание

Паспорт Стадия разработки
Драйверы

 

 

 

ДР1270П-БВ1-(12...33)

 Одноканальный драйвер

-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 3300 В.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 10 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

 -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1SD536F2*.

  -Драйверы ДР1270П-БВ1-(01...06) предназначены для силовых модулей: CM2400HCB-34N, CM1200E4C-34N, MDTKI2-1200-17-2KT, CM1800HC-34N, FD1200R17HP4-K B2. 

 

 

PDF 

 

 

Запущен в производство

 

 

 

ДР1270П-БВ1-(01...06)

 

 

PDF

 

 

Запущен в производство

 

 

 

 

 

ДР1270П-БВ2

 Одноканальный драйвер

-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 1700 В.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 10 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

 -Предназначен для эксплуатации в составе с модулем TIM1200DDM17-TSA000 в схеме нижнего или верхнего ключа. 

 

 

 

 

 

PDF

 

 

 

 

 

Запущен в производство

 

ДР1350П-БВ

 Одноканальный драйвер

 -Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

 -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу  1SP0350V2A0-45*.

 -ДР1350П-БВ-01 предназначен для управления силовым модулем T2400GB45E.

 - ДР1350П-БВ-02 предназначен для управления силовым модулем   CM400HG-66H-009. 

 - ДР1350П-БВ-03 предназначен для управления силовым модулем  FZ250R65KE3.  

 

 PDF

 

Запущен в производство  

 

ДР1350П-БВ-01

 

 PDF

 

 Запущен в производство

 

ДР1350П-БВ-02

 

 PDF

 

Запущен в производство 

 

ДР1350П-БВ-03

 

 PDF

 

 Запущен в производство

 

 

ДР1350П-БВ2

 Одноканальный драйвер

-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

 -Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 1IPSE1A65-105H*.

 -ДР1350П-БВ2-01 предназначен для управления силовым модулем  CM400HG-66H-009.

 -ДР1350П-БВ2-02 предназначен для управления силовым модулем  FZ250R65KE3.

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

 

ДР1350П-БВ2-01

 

 PDF

 

Запущен в производство 

 

 

ДР1350П-БВ2-02

 

 PDF

 

Запущен в производство 

 

ДР2180П-Б

 Двухканальный драйвер

-Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В или 3300 в (ДР2180П-Б7).

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

 -ДР2180П-Б6 выполнен в конструктиве 62 мм.

 -ДР2180П-Б7 выполнен в конструктиве "XHP". 

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

ДР2180П-Б6

 

PDF

 

Запущен в производство

 

ДР2180П-Б7

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

 

ДР2180П-БВ

 Двухканальный драйвер

 -Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

  -ДР2180П-БВ-01 предназначен для управления силовым модулем   CM1000DU-34NF.

 -ДР2180П-БВ-02 предназначен для управления силовым модулем  CM1200DU-34S.

-ДР2180П-БВ5  конструктивно и функционально аналогичен драйверу  2SB315B *.  

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

 

ДР2180П-БВ-01(02)

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

 

ДР2180П-БВ5

 

 PDF

 

Запущен в производство 

 

 

 

 

ДР1180П-Б1

 Одноканальный драйвер

-Предназначен для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 1700 В.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.

-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

-Выполнен в конструктиве "MPD". 

 

  

 

 PDF

 

 

 

Запущен в производство 

 

 

 

 

 

ДР2200П-Б1

 Двухканальный драйвер  

 -Предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными карбид-кремниевыми транзисторами (SiC-MOSFET) или IGBT-транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В 

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 200 кГц.

-Выполнен в конструктиве "62 мм".

-Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора. 

 

 

 

 

 PDF

 

 

 

 

Запущен в производство 

 

 

 

МД2150П-Б-МК

 Программируемый драйвер 

-Предназначен для зависимого или независимого управления двумя SIC или IGBT транзисторами до 1700 В с гальванической изоляцией прочностью не менее 2500 В (AC).

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 100 кГц.

 

 

 PDF 

 

 

 

В разработке

 

 

 

 

 

МД2300П-Б1

 Двухканальный драйвер

 -Предназначен для управления двумя мощными транзисторами с полевым управлением.

 -Является усилителем – формирователем сигналов управления затвором транзистора с частотой до 60 кГц.

 -Содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

-Драйвер конструктивно и функционально аналогичен драйверу 2ED300E17*. 

 

 

 

 

 PDF

 

 

 

 

Запущен в производство 

 

 

ДТУ

 Драйвер тиристорный универсальный предназначен для управления тиристорными преобразователями различных конфигураций (в том числе по IEC971 1989). Основным концептуальным отличием данного драйвера является использование трансформаторной развязки с применением частотного заполнения управляющих импульсов тока.

 

 PDF

 

Запущен в производство

Силовые модули

 

М9

 Одиночный транзисторный ключ на основе IGBT транзистора. Предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

М10

 Последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод в цепи коллектора (нижний ключ). Предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях.

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

М11

 Последовательно соединенные транзисторный ключ на основе IGBT транзистора и FRD диод в цепи эмиттера (верхний ключ). Предназначен для применения в качестве коммутирующих элементов в силовых преобразователях. 

 

 PDF

 

Запущен в производство

 

М12

  Два последовательно соединенных транзисторных ключа (полумост) на основе IGBT транзистора. Предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.  

 

 PDF

 

Запущен в производство

 Модули в корпусе Е3

 Модули транзисторные типа М10, М11, М12, являющиеся конструктивными аналогами модулей фирм Semikron и Infineon.  

  PDF

В разработке

 

 

 

Модули в корпусе М1

 Модули транзисторные типа М9.1 (последовательно соединенные транзисторный ключ и FRD диод в цепи коллектора (общий катод – коллектор)М10, М11, М12, М12.1 (два последовательно соединенных транзисторных ключа с общим эмиттером), М13А1 (три полумоста), М13А4 (транзисторный мост и нижний ключ), М13Б (транзисторный мост), М13Б1 ("косой" мост), являющиеся конструктивными аналогами модулей Microsemi.

 

 

 PDF

 

 

 

В разработке

Модули в корпусе М2

 Модули транзисторные типа М10, М11, М12, М12.1, М13Б1, являющиеся конструктивными аналогами модулей Microsemi.  

PDF В разработке

 

Модули 17 класса

 Модули транзисторные типа М12  с пиковым напряжением 1700 В, предназначен для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей. Модуль является аналогом FF200R17KE3*. 

 

 PDF

 

Запущен в производство

Блок реверсивного управления тиристорный

 

 

 

 

 

БРУТ-1

Многофункциональный тиристорный пускатель с микропроцессорным управлением (обеспечивает высокую точность работы и простоту управления), предназначен для плавного запуска, торможения и реверсирования трехфазных асинхронных электродвигателей мощностью до 30 кВт. Количество и диапазон настроек БРУТ позволяют адаптировать используемый электропривод под необходимые для потребителя режимы работы. Областью применения БРУТ являются регулирующие и запорные задвижки трубопроводной арматуры, кран-балки, рольганги, станки и другие механизмы, где необходимо реверсивное управление приводом.

 

 

 

 

PDF

 

 

 

 

 

В разработке

Коммутаторы мощных нагрузок

 

КМН-1

Предназначен для коммутации активной или активно-индуктивной нагрузки в однофазных (трехфазных) цепях переменного тока напряжением 220/380 В частотой 50 Гц.

Применяется в системах автоматического регулирования температуры и других технологических параметров.

Работает в комплекте с управляющими устройствами (стороннего производителя), имеющими выходной сигнал постоянного тока от 4 до 32 В.

 

 PDF

 

В разработке

 

КМН-3

 

 PDF

 

В разработке

Специализированные изделия категории качества "ОТК"

 

 

1ДР2120П-А1

 Предназначен для зависимого гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В. Драйвер является усилителем – формирователем сигналов управления затворами транзисторов с частотой до 100 кГц. 

 

 PDF

 

Запущен в производство

  1М4.2ША-80-0,6

 Представляет собой два диода Шоттки с общим катодом, предназначен для применения в составе мощных преобразователей. 

  PDF

Запущен в производство

  

1М5Ш-М3

 Представляет собой однофазный выпрямительный мост, предназначен для выпрямления (преобразования) переменного напряжения в пульсирующее постоянное напряжение. 

 

 PDF

 

Запущен в производство 

 

 

1М6Ш к.ДМ

 Представляет собой трехфазный выпрямительный мост, предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специального назначения. 

 

 PDF

 

 Запущен в производство

 

1МККТ1А к.МККТ

  Модуль коммутации и контроля тока с расширенным температурным диапазоном предназначен для коммутации постоянного тока нагрузки, защиты нагрузки и коммутирующего транзистора от перегрузки по току (по критерию I2·t), по температуре и от индуктивных выбросов в цепи нагрузки. Модуль имеет в своём составе схему управления и силовую схему с гальванической развязкой от цепей управления и питания.

 

 PDF 

 

 Запущен в производство

 

1МККТ1А к.ДМ

 

 PDF

 

Запущен в производство

                                                    

*В связи с особенностями схемотехники, конструкции и свойств применяемых материалов, имеются некоторые отличия от оригинала, которые указаны в описании. Перед применением рекомендуем внимательно изучить информацию на изделие.

 

mail@electrum-av.com

Top Desktop version