Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

Изделия специального назначения частного применения. Модули без встроенного управления

               Модули стойкие к спецвоздействиям без управления представлены сборками MOSFET- и IGBT-транзисторов, быстровосстанавливающихся диодов и диодов Шоттки. Модули предназначены для работы в транзисторных и диодных преобразователях с пиковым напряжением до 1200 В и током нагрузки до 240 А с внешними схемами управления. В модулях используются комплектующие имеющие приёмку «5».

              Данные модули не являются комплектующими изделиями межотраслевого применения (КИМП) по ГОСТ РВ 51540-2005 и не входят в "Перечень электронной компонентной базы, разрешенной для применения при разработке, модернизации, производстве и эксплуатации вооружения, военной и специальной техники" (Перечень ЭКБ 02-2016). Эти изделия разрабатывались для применения в конкретных образцах ВВТ со специфическими требованиями назначения и применения по условиям ВВФ, поставка их возможна после согласования технических условий заказывающим предприятием и военным представительством при нем. (ГОСТ 2.114-2016 п.п.6.2, 6.7 раздела Порядок согласования и утверждения технических условий).

Тип   Схема Описание U,В I,А Корпус Паспорт
На основе MOSFET-транзисторов

 

 

 

5М9


 

 

 

 

 

                                  




 

 

 

 

 

Одиночный транзистор




100 100

   

  М3

 

PDF

200 80
60, 100, 200
50, 75, 100

Е2

  PDF 
200, 250, 300, 400  ДМ   PDF 
5М9-Т
200
200 ДМ PDF
400 ДМ PDF

5М10

                                  

Нижний ключ 

 100, 200 40, 50

  М3  

PDF 

5М11

                                  

Верхний ключ 

 100, 200 40, 50

  М3  

PDF 

 

5М12

 

                                  


 

Полумост

 

60, 100, 200

25, 50, 75, 

Е2

 PDF
100, 150, 200 ДМ   PDF 

 

5М12.1

 

                                  

Два встречно включенных

транзистора  


 

 60, 100, 200

 25, 50, 75  Е2  PDF
100, 150, 200   ДМ   PDF 

 

 

 

5М13А

 

 

 

 

                                  

 

 

 

 

Транзисторный трехфазный 

инвертор

 

 

 

 

 

 200  

50

  ДМ  

PDF 

10, 20, 40

М1

PDF 

20

Каркас

PDF

 

5М13Б

 

 

                                  

 

 

Транзисторный двухфазный 

инвертор

 

 

200

10, 20, 50

 М1

PDF 

20

Каркас

PDF

На основе IGBT-транзисторов

 

 

5М9

 

 

                                  

 

 

Одиночный транзистор

 

 

600,1200

75

Е2

  PDF 
100, 150, 200, 300 ДМ   PDF 
50, 75, 100 М3 PDF

 

 

 

 

 

 

5М10

 

 

 

 

 

 

                                  

 

 

 

 

 

 

Нижний ключ

 

600, 1200

75

Е2

 PDF
100, 150, 200

ДМ

 PDF

 

 

1200



150 М1 PDF
75  М2  PDF
150 Е3 PDF

600, 1200

25, 30

М3

PDF

 

 

 

 

 

 

5М11

 

 

  

 

 

 

                                  

 

 

 

 

 

 

Верхний ключ

 

600, 1200

75

Е2

  PDF 
100, 150, 200

ДМ

 PDF

 

 

1200


150

М1

 PDF
75

М2

PDF
150

 Е3

PDF
600, 1200 25, 30

М3

PDF

 

 

 

 

 

5М12

 

 

 

 

 

                                  

 

 

 

 

 

Полумост

 

600, 1200

100, 150, 200

ДМ

 PDF
75 Е2   PDF 

 

 

1200

 150  М1 PDF
75 М2 PDF
150 Е3 PDF

 

5М12.1

 

                                  

Два встречно включенных

транзистора  

600, 1200 75  Е2   PDF
 100, 150 ДМ   PDF

 

5М13А 

 

 

                                  

 

 

Транзисторный трехфазный 

инвертор

 

 

 

 1200  

50

  ДМ  

PDF 

25

М1

PDF 

 

5М13Б

 

 

                                  

 

 

Транзисторный двухфазный 

инвертор

 

 

1200

50

ДМ

PDF 

75

М1

PDF

На основе диодов Шоттки

 

5М4Ш

                                  

 

Общий катод-анод

 

 

 

 

 

 

 

 

200


60, 120, 180

Е2

PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М4.1Ш

                                  

 

Одиночный диод

60, 120, 180

Е2

PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М4.2Ш

                                  

 

Общий катод

60, 120, 180

Е2

PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М4.3Ш

                                   

 

Общий анод

60, 120, 180 Е2 PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

5М4.4Ш

                                  

 

Два одиночных диода

 

200

 

60

 

М3

 

 

 PDF

5М4.5Ш

                                  

 

 

 

5М5Ш

 

 

                                  

 

 

 

Однофазный диодный мост

 

 

 

200

120

ВМ

  PDF 
240, 360 ДМ   PDF 
120 М3 PDF
5М6Ш
                                  
Трехфазный диодный мост
200 180, 360

ДМ

 PDF
На основе БВД

 

5М4БВД

 

                                  

 

Общий катод-анод

 

 

 

 

 

 

 

 

1200


75, 150

Е2

PDF
200, 300 ДМ PDF

 

5М4.1БВД

 

                                  

 

Одиночный диод

75, 100

Е2

PDF
200, 300, 450 ДМ PDF

 

5М4.2БВД

 

                                  

 

Общий катод

75, 100

Е2

PDF
200, 300 ДМ PDF

 

5М4.3БВД

 

                                   

 

Общий анод

75, 100 Е2 PDF
200, 300 ДМ PDF

 5М4.4БВД

 

                                  

Два одиночных диода

 

 600

75, 120

 

М3

  PDF 

1200

50, 75

 5М4.5БВД

 

                                  

Два одиночных диода

 

 600

75, 120

М3

 

  PDF 

1200

50, 75

 

 

 5М5БВД

 

 

 

 

 

                                  


 

 

Однофазный диодный мост

 

 

 

 1200

150, 300

ДМ

  PDF 

400

80

 

 

М3

 

 

PDF

 600

60

 1200

50, 100

 

 

 

 

 

mail@electrum-av.com

Top Desktop version