Product Code: 1М9-200-12

1M9-200-12

Body (type): DM
Scheme: Single transistor
Type: IGBT
Vbr [V]: 1200
Iav [A]: 200
Iimp [A]: 600

Документы

468.05KB
468.05KB

The IGBT module is designed for switching high-power loads and use as part of high-power converters with high switching frequency.

Остались вопросы
или нужна консультация?

Позвоните по номеру телефона: 8(4862)44-03-48 Мы с радостью ответим на все вопросы!