Модули на основе IGBT-транзисторов
Модули построены на транзисторах с пиковым напряжением до 1200 В . Модули представлены сборками полумостов, верхних и нижних ключей, встречновключённых транзисторов, Н-мостов и трёхфазных инверторов. Модули могут работать в преобразователях с током нагрузки до 400 А.
Показано с 1 по 112 из 112 (всего 1 страниц)
| Наименование прибора |
[{{f.unit}}] | |
|---|---|---|
| фильтр | ||
| {{g.header}} |
|
[{{f.unit}}] {{g.params[f.id]}} |
Просмотренные
Модуль коммутации постоянного тока с защитой от КЗ – полупроводниковое нормально разомкнутое однополярное реле с трансформаторной развязкой, с малым током и временем включения, предназначен для п..
0.00 р.
Модуль коммутации постоянного тока с защитой от КЗ – полупроводниковое нормально разомкнутое однополярное реле с трансформаторной развязкой, с малым током и временем включения, предназначен для п..
0.00 р.
Модуль коммутации (полупроводниковое биполярное реле с трансформаторной развязкой, малым током и временем включения) с защитой по току предназначен для применения в устройствах автоматики и прив..
0.00 р.
Твердотельное однофазное реле переменного тока (модуль оптотиристорный) с защитой от перегрузки по току, обрыва в цепи нагрузки и перегрева предназначено для коммутации нагрузки в цепях переменного то..
0.00 р.
Твердотельное полупроводниковое оптоэлектронное однофазное реле переменного тока с «нормально разомкнутыми» контактами без контроля перехода фазы через «ноль» предназначено дл..
0.00 р.
