Модули на основе IGBT-транзисторов
Модули построены на транзисторах с пиковым напряжением до 1200 В . Модули представлены сборками полумостов, верхних и нижних ключей, встречновключённых транзисторов, Н-мостов и трёхфазных инверторов. Модули могут работать в преобразователях с током нагрузки до 400 А.
| Наименование прибора |
[{{f.unit}}] | |
|---|---|---|
| фильтр | ||
| {{g.header}} |
|
[{{f.unit}}] {{g.params[f.id]}} |
Просмотренные
Модуль коммутации постоянного тока (полупроводниковое нормально разомкнутое однополярное реле с трансформаторной развязкой с малым током и временем включения) предназначен для применения в устройствах..
0.00 р.
Модуль коммутации (полупроводниковое биполярное реле с трансформаторной развязкой, малым током и временем включения) с защитой по току предназначен для применения в устройствах автоматики и прив..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки предназначен для применения в составе мощных преобразователей.
..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки предназначен для применения в составе мощных преобразователей.
..
0.00 р.
Модуль коммутации (полупроводниковое биполярное реле с трансформаторной развязкой, малым током и временем включения) с защитой по току предназначен для применения в устройствах автоматики и прив..
0.00 р.
