Код товара:
М11-50-12-М3
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
Просмотренные
Модуль на основе БВД предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный (в составе однофазных и трехфазных диодных мостов).
..
0.00 р.
Модуль на основе БВД предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный (в составе однофазных и трехфазных диодных мостов).
..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный (в составе однофазных и трехфазных диодных мостов).
..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный (в составе однофазных и трехфазных диодных мостов).
..
0.00 р.
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
..
0.00 р.
