Модули на основе MOSFET-транзисторов

  ФОТОАЛЬБОМ- всё о силовой электронике.    

               Внимание: Поставка приборов М9,М12,М12.1 в корпусе Е2 возможна только потребителям ранее осуществлявших заказ! 

              Сборки MOSFET-транзисторов предназначены для работы в транзисторных низковольтных преобразователях с максимальным постоянным током до 500 А. Модули представлены одиночными ключами, полумостами, верхними и нижними ключами, сборками инверторов с рядом пикового напряжения 60, 100, 200, 250, 400 В. 

Тип	Схема	Описание	U,В	I,А	Корпус	Паспорт
Модули в конструктивных исполнениях Е2,ДМ
М9		Одиночный транзистор	40	100, 200,300, 400, 500	Е2,ДМ
			60	150, 220, 300,360, 450	ДМ
			100	120, 160, 200,250, 300, 400	ДМ
			200	120, 160, 200,240, 320, 400	ДМ
			250	120, 150, 200,240, 300	ДМ
М12		Полумост	40	100, 200, 300,400, 500	Е2,ДМ
			60	75, 150, 220, 300	Е2,ДМ
			100	120, 160, 200, 250	ДМ
			200	120, 160, 200	ДМ
			250	120	ДМ
М12.1		Встречновключенные транзисторы	40	100, 200, 300, 400, 500	Е2,ДМ
			60	75, 150, 220, 300	Е2,ДМ
			100	120, 160, 200, 250	ДМ
			200	120, 160, 200	ДМ
			250	120	ДМ
М13А		Трехфазный инвертор	100	10, 30, 50, 90	ДМ
			200	10, 30, 50, 90
М13Б		Двухфазный инвертор	100	10, 30, 50, 90	ДМ
			200
М13В		Два косых моста	100	10, 30, 50, 90	ДМ
			200
Модули в конструктивном исполнении МККТ
М13МА		Трехфазный инвертор	100	10	МККТ
			200
М13МБ		Двухфазный инвертор	100	10	МККТ
			200
Модули в конструктивном исполнении М1
М12		Полумост	100	370	М1
			200	300

 

 

Так же рекомендуем просмотретьмодули IGBT-транзисторов