Полумост на основе карбидокремниевых транзисторов М12Sic
Модули М12Sic– MOSFET SiC модули на основе карбидокремниевых MOSFET-транзисторов и БВД-диодов, представляют собой сборку двух последовательно-включенных MOSFET-транзисторов зашунтированных обратными БВД-диодами, предназначенные для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей с максимальным пиковым напряжением до 1200 В и постоянным током до 100 А
| Динамические характеристики | ||||
| Входная емкость, пФ | Ciss | 9370 | 10500 | Vgs=0В, Vds=25В , f=1MГц |
| Выходная емкость, пФ | Coss | 3300 | 4000 | |
| Проходная емкость, пФ | Crss | 168 | 200 | |
| Время задержки включения, нс | td(on) | 80 | 100 |
Vds=600В, Vgs=-5/15В,Id=100A, Ld=250мГц, Rg=4.7 Ом |
| Время нарастания, нс | tr | 88 | 100 | |
| Время задержки выключения, нс | td(off) | 96 | 120 | |
| Время спада, нс | tf | 56 | 70 | |
| Энергия потерь включения, мДЖ | Eon | 7,35 | ||
| Энергия потерь выключения, мДЖ | Eoff | 6,7 | ||
| Общий заряд затвора, нКл | Qg | 450 | 800 | Vds=600 В , Vds=-5/15 В, Id=100A |
