Полумост на основе карбидокремниевых транзисторов М12Sic

 

Модули М12Sic– MOSFET SiC модули на основе карбидокремниевых MOSFET-транзисторов и БВД-диодов, представляют собой сборку двух последовательно-включенных MOSFET-транзисторов зашунтированных обратными БВД-диодами, предназначенные для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей с максимальным пиковым напряжением до 1200 В и постоянным током до 100 А

 

 

 

Динамические характеристики
Входная емкость, пФ	Ciss	9370	10500	Vgs=0В, Vds=25В , f=1MГц
Выходная емкость, пФ	Coss	3300	4000
Проходная емкость, пФ	Crss	168	200
Время задержки включения, нс	td(on)	80	100	Vds=600В, Vgs=-5/15В,Id=100A, Ld=250мГц, Rg=4.7 Ом
Время нарастания, нс	tr	88	100
Время задержки выключения, нс	td(off)	96	120
Время спада, нс	tf	56	70
Энергия потерь включения, мДЖ	Eon	7,35
Энергия потерь выключения, мДЖ	Eoff	6,7
Общий заряд затвора, нКл	Qg	450	800	Vds=600 В , Vds=-5/15 В, Id=100A

 

 

 

     см.паспорт изделия