•  
  •  
  •  
  •  
  •  
  •  

Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Каталог

 

Встречновключённые транзисторы М12.1

1

Модули М12.1 – два встречно включённых MOSFET-транзистора (общий эмиттер) со встроенными обратными диодами. Модуль выпускается в следующих вариантах:

 

Пиковое напряжения 40 В с рядом постоянного тока 100,200,300,400,500 А.

Пиковое напряжения 60 В с рядом постоянного тока 75,150,220,300 А.

Пиковое напряжения 100 В с рядом постоянного тока 120,160,200,250 А.

Пиковое напряжения 200 В с рядом постоянного тока 120,160,200 А.

 

Пиковое напряжения 250 В со постоянным током 120 А.

 

Тип модуля Ток, А Класс напряжения 
0.4 0.6 1 2 2.5
М12.1 75   Рис.1      
100 Рис.1        
120     Рис.2 Рис.2 Рис.2
150   Рис.2      
160     Рис.2 Рис.2  
200 Рис.2   Рис.2 Рис.2  
220   Рис.2      
250     Рис.2    
300 Рис.2 Рис.2      
400 Рис.2        
500 Рис.2        

 

2

 

                       Рисунок 1                                                         Рисунок 2

 

      см.паспорт изделия

 

© 2024 Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров . Все права защищены.
Joomla! - бесплатное программное обеспечение, распространяемое по лицензии GNU General Public License.

mail@electrum-av.com