Код товара: 1М9-75-12-М3

1М9-75-12-М3

Корпус (тип): М3
Схема: Одиночный транзистор
Тип: IGBT
Vbr [В]: 1200
Iav [А]: 75
Iimp [А]: 225

Документы

Datasheet
527.03KB
Паспорт
527.03KB

IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. 

Теги: 1М9 Модуль на основе IGBT-транзисторов

Остались вопросы
или нужна консультация?

Позвоните по номеру телефона: 8(4862)44-03-48 Мы с радостью ответим на все вопросы!