Код товара: 1М12.1-50-1

1М12.1-50-1

Корпус (тип):	Е2
Схема:	Встречновключенные транзисторы
Тип:	MOSFET
Vbr [В]:	100
Iav [А]:	50
Iimp [А]:	150

385.63KB

385.63KB

MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.

Теги: 1М12.1 Модуль на основе MOSFET-транзисторов

Просмотренные

MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. ..

0.00 р.

0.00 р.

0.00 р.

IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. ..

0.00 р.

0.00 р.

Остались вопросы или нужна консультация?