Код товара: 1М12.1-100-1

1М12.1-100-1

Корпус (тип):	ДМ
Схема:	Встречновключенные транзисторы
Тип:	MOSFET
Vbr [В]:	100
Iav [А]:	100
Iimp [А]:	300

387.6KB

387.6KB

MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.

Теги: 1М12.1 Модуль на основе MOSFET-транзисторов

Просмотренные

MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. ..

0.00 р.

0.00 р.

0.00 р.

IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. ..

0.00 р.

0.00 р.

Остались вопросы или нужна консультация?