ДР2200П-Б2

Драйвер IGBT- и карбид-кремниевых транзисторов ДР2200П-Б2 мощных транзисторов с зависимым управлением предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными карбид-кремниевыми транзисторами (SiC-MOSFET) или IGBT-транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В. Драйвер является усилителем – формирователем сигналов управления затворами транзисторов с частотой до 200 кГц. Драйвер содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC-преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

Драйвер обеспечивает следующие функции управления, контроля и защиты управляемого транзистора:

1. контроль напряжения насыщения на коллекторе управляемого транзистора, его защитное отключение при выходе из состояния насыщения;
2. регулировку порога защитного отключения по напряжению насыщения;
3. обеспечение плавного перехода драйвера из активного состояния в неактивное при аварийной ситуации (выход управляемого транзистора из режима насыщения);
4. блокировку управления при аварийной ситуации;
5. сигнализацию о наличии аварийной ситуации;
6. регулировку времени включения - выключения управляемого транзистора путем изменения сопротивления резисторов в выходной цепи (Ron, Roff);
7. блокировку одновременного включения верхнего и нижнего плеча;
8. задержку на переключение верхнего и нижнего плеча;
9. регулировку задержки на переключение верхнего и нижнего плеча;
10. контроль напряжений питания драйвера (встроенные компараторы) на выходе DC/DC преобразователя;
11. защиту управляемого модуля от перегрева.