ДР2200П-Б1

Драйвер IGBT- и карбид-кремниевых транзисторов ДР2200П-Б1 мощных транзисторов с зависимым управлением предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными карбид-кремниевыми транзисторами (SiC-MOSFET) или IGBT-транзисторами с предельно допустимым напряжением до 1700 В. Драйвер является усилителем – формирователем сигналов управления затворами транзисторов с частотой до 200 кГц. Драйвер содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC-преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

Драйвер обеспечивает следующие функции управления, контроля и защиты управляемого транзистора:

1. контроль напряжения насыщения на коллекторе управляемого транзистора, его защитное отключение при выходе из состояния насыщения;
2. обеспечение плавного перехода драйвера из активного состояния в неактивное при аварийной ситуации (выход управляемого транзистора из режима насыщения);
3. блокировку управления при аварийной ситуации;
4. сигнализацию о наличии аварийной ситуации;
5. регулировку тока включения - выключения управляемого транзистора путем изменения сопротивления резисторов в выходной цепи (Ron, Roff);
6. блокировку одновременного включения верхнего и нижнего плеча;
7. задержку на переключение верхнего и нижнего плеча;
8. регулировку задержки на переключение верхнего и нижнего плеча;
9. контроль напряжений питания драйвера (встроенные компараторы) на выходе DC/DC преобразователя.