2МД1180П-Б1

Драйвер 2МД1180П-Б1 – двухканальный драйвер мощных транзисторов с независимым управлением, предназначен для гальванически развязанного управления двумя мощными транзисторами с полевым управлением (MOSFET или IGBT) с предельно допустимым напряжением до 1700 В. Драйвер является усилителем – формирователем сигналов управления затворами транзисторов с частотой до 100 кГц. Драйвер содержит встроенный гальванически развязанный DC/DC-преобразователь, обеспечивающий необходимые уровни отпирающих и запирающих напряжений на затворе транзистора.

Драйвер обеспечивает следующие функции управления, контроля и защиты управляемого транзистора:

1. контроль напряжения насыщения на коллекторе управляемого транзистора, его защитное отключение при выходе из состояния насыщения;
2. регулировку порога защитного отключения по напряжению насыщения;
3. обеспечение плавного перехода драйвера из активного состояния в неактивное при аварийной ситуации (выход управляемого транзистора из режима насыщения);
4. блокировку управления при аварийной ситуации;
5. сигнализацию о наличии аварийной ситуации;
6. регулировку времени включения/выключения управляемого транзистора путем изменения сопротивления резисторов в выходной цепи (Ron, Roff);
7. контроль напряжений питания драйвера (встроенные компараторы) на выходе DC/DC преобразователя.