Код товара:
М4.1Г-250-16
Модуль одиночного диода, предназначен для применения в составе мощных преобразователей.
Просмотренные
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
..
0.00 р.
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
0.00 р.
Модуль коммутации и контроля тока 1МККТ1А с расширенным температурным диапазоном предназначен для коммутации постоянного тока нагрузки, защиты нагрузки и коммутирующего транзистора от перегрузки ..
0.00 р.
Модуль коммутации и контроля тока 1МККТ1А с расширенным температурным диапазоном предназначен для коммутации постоянного тока нагрузки, защиты нагрузки и коммутирующего транзистора от перегрузки ..
0.00 р.
Модуль трехфазного диодно-тиристорного моста с управлением тремя тиристорами, подключенным к «положительному» выходу, предназначен для выпрямления (преобразования переменного тока в пульсирующее ..
0.00 р.
