Код товара: М9-200-12

М9-200-12

Корпус (тип): ДМ
Схема: Одиночный транзистор
Vcesmax [В]: 1200
Icmax [А]: 200
Icmmax [А]: 400

Документы

413.35KB
413.35KB

IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. 

Частота переключения до 100 кГц.

Остались вопросы
или нужна консультация?

Позвоните по номеру телефона: 8(4862)44-03-48 Мы с радостью ответим на все вопросы!