Код товара: М9-100-12-01

М9-100-12-01

Корпус (тип): ДМ
Схема: Одиночный транзистор
Vcesmax [В]: 1200
Icmax [А]: 100
Icmmax [А]: 360

Документы

425.78KB
425.78KB

IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. 

Частота переключения до 100 кГц.

Остались вопросы
или нужна консультация?

Позвоните по номеру телефона: 8(4862)44-03-48 Мы с радостью ответим на все вопросы!