Код товара: М9.1-200-12-М1

М9.1-200-12-М1

Корпус (тип): М1
Схема: Одиночный транзистор
Vcesmax [В]: 1200
Icmax [А]: 200
Icmmax [А]: 600

Документы

780.89KB
780.89KB

IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения. 

Частота переключения до 100 кГц.

Остались вопросы
или нужна консультация?

Позвоните по номеру телефона: 8(4862)44-03-48 Мы с радостью ответим на все вопросы!