Код товара:
М12.1-200-12-01
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
Просмотренные
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
..
0.00 р.
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный (в составе однофазных и трехфазных диодных мостов).
..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный (в составе однофазных и трехфазных диодных мостов).
..
0.00 р.
Модуль на основе диодов Шоттки 1М5Ш предназначен для преобразования переменного тока в пульсирующий постоянный в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры специальног..
0.00 р.
