Модули на основе IGBT-транзисторов

             Модули построены на транзисторах  с пиковым напряжением до 1200 В . Модули представлены сборками полумостов, верхних и нижних ключей, встречновключённых транзисторов, Н-мостов и трёхфазных инверторов. Модули могут работать в преобразователях с током нагрузки до 400 А. 

Показано с 1 по 112 из 112 (всего 1 страниц)

Остались вопросы
или нужна консультация?

Позвоните по номеру телефона: 8(4862)44-03-48 Мы с радостью ответим на все вопросы!