Модули на основе IGBT-транзисторов
Модули построены на транзисторах с пиковым напряжением до 1200 В . Модули представлены сборками полумостов, верхних и нижних ключей, встречновключённых транзисторов, Н-мостов и трёхфазных инверторов. Модули могут работать в преобразователях с током нагрузки до 400 А.
Наименование прибора |
[{{f.unit}}] | |
---|---|---|
фильтр | ||
{{g.header}} | [{{f.unit}}] {{g.params[f.id]}} |