Уточнение технических данных
10.11.2025 г.
Уточнение параметров:
-"Напряжение срабатывания защиты по ненасыщению": 25 – 250 В.
-"Напряжение изоляции": 10000 AC.
См. паспорт (ДР1350-В4 изм.3, МИП-ДР-65 изм.1, ДР1350П-БВ изм.5, ДР1350П-БВ2 изм.6, ДР1270П-БВ1 изм.2).
Одноканальные драйверы мощных высоковольтных IGBT-транзисторов, предназначены для гальванически развязанного управления одним мощным транзистором с предельно допустимым напряжением до 6500 В. Драйверы являются усилителями – формирователями сигналов управления затвором транзистора с частотой до 20 кГц.
За дополнительной информацией обращайтесь:
Россия, 302020 г. Орел, Наугорское шоссе, 5
Отдел маркетинга - 8(4862)44-03-48;
Отдел разработок - 8(4862)44-03-94.
