Специализированные изделия категории качества "ОТК" (РЭК 05.001/2-2019). Модули без управления ОТК
Данные модули разработаны в соответствии с разделом 7 положения РЭК 05.001/2-2019 "О порядке применения специализированной электронной компонентной базы категории качества "ОТК" в образцах специальной техники и других ограниченных областях применения".
| Наименование прибора | Корпус (тип): | Схема: | Тип: | Vbr [В]: | Iav [А]: | Iimp [А]: | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | фильтр | ||
| 1М10-100-6 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М10-150-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М10-150-12-Е3 |  | Корпус (тип): Е3 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М10-150-12-М1 |  | Корпус (тип): М1 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М10-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М10-200-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М10-25-12-М3 |  | Корпус (тип): М3 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М10-30-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 30 | Iimp [А]: 90 |
| 1М10-40-2-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Нижний ключ | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 40 | Iimp [А]: 120 |
| 1М10-50-1-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Нижний ключ | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М10-75-12 |  | Корпус (тип): Е2 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М10-75-12-М2 |  | Корпус (тип): М2 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М10-75-6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Нижний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М11-100-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М11-150-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М11-150-12-Е3 | | Корпус (тип): Е3 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М11-150-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М11-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М11-200-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М11-25-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М11-30-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 30 | Iimp [А]: 90 |
| 1М11-40-2-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Верхний ключ | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 40 | Iimp [А]: 120 |
| 1М11-50-1-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Верхний ключ | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М11-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М11-75-12-М2 | | Корпус (тип): М2 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М11-75-6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Верхний ключ | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12-100-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12-100-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12-100-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12-100-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12-150-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12-150-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12-150-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12-150-12-Е3 | | Корпус (тип): Е3 | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12-150-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12-150-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12-200-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12-200-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12-200-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12-200-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12-25-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М12-25-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М12-50-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М12-50-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М12-50-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М12-75-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12-75-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12-75-12-М2 | | Корпус (тип): М2 | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12-75-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12-75-6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Полумост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12.1-100-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12.1-100-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12.1-100-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12.1-100-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М12.1-150-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12.1-150-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12.1-150-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12.1-150-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М12.1-200-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12.1-200-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12.1-200-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М12.1-25-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М12.1-25-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М12.1-50-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М12.1-50-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М12.1-50-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М12.1-75-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12.1-75-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12.1-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12.1-75-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М12.1-75-6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Встречновключенные транзисторы | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М13А-10-2-М1 |  | Корпус (тип): М1 | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 10 | Iimp [А]: 30 |
| 1М13А-20-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 20 | Iimp [А]: 60 |
| 1М13А-25-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М13А-40-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 40 | Iimp [А]: 120 |
| 1М13А-50-12 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М13А-50-2 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М13А1-25-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М13Б-10-2-М1 |  | Корпус (тип): М1 | Схема: Н-мост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 10 | Iimp [А]: 30 |
| 1М13Б-20-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Н-мост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 20 | Iimp [А]: 60 |
| 1М13Б-50-12 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Н-мост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М13Б-50-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Н-мост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М13Б-75-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Н-мост | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М13МА-20-2 |  | Корпус (тип): Каркас | Схема: Трехфазный инвертор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 20 | Iimp [А]: 60 |
| 1М13МБ-20-2 | | Корпус (тип): Каркас | Схема: Н-мост | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 20 | Iimp [А]: 60 |
| 1М4.1БВД-150-12 |  | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4.1БВД-150-12-М1 |  | Корпус (тип): М1 | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4.1БВД-200-12 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М4.1БВД-300-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.1БВД-300-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.1БВД-450-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 450 | Iimp [А]: 1350 |
| 1М4.1БВД-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный диод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.1Ш-120-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М4.1Ш-180-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 180 | Iimp [А]: 540 |
| 1М4.1Ш-240-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4.1Ш-240-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4.1Ш-300-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.1Ш-360-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4.1Ш-360-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4.1Ш-60-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный диод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М4.2БВД-150-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4.2БВД-150-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4.2БВД-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М4.2БВД-300-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.2БВД-300-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.2БВД-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.2Ш-120-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М4.2Ш-180-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 180 | Iimp [А]: 540 |
| 1М4.2Ш-240-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4.2Ш-240-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4.2Ш-300-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.2Ш-360-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4.2Ш-360-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4.2Ш-60-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М4.3БВД-150-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4.3БВД-150-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4.3БВД-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М4.3БВД-300-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.3БВД-300-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.3БВД-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.3Ш-120-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М4.3Ш-180-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 180 | Iimp [А]: 540 |
| 1М4.3Ш-240-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4.3Ш-240-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4.3Ш-300-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4.3Ш-360-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4.3Ш-360-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4.3Ш-60-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М4.4БВД-120-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М4.4БВД-50-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М4.4БВД-75-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.4БВД-75-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.4Ш-60-2-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М4.5БВД-120-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М4.5БВД-50-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М4.5БВД-75-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.5БВД-75-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: БВД | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4.5Ш-60-2-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Сдвоенные диоды | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М4БВД-150-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод-анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4БВД-150-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод-анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М4БВД-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод-анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М4БВД-300-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод-анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4БВД-300-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод-анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4БВД-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод-анод | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М4Ш-120-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М4Ш-180-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 180 | Iimp [А]: 540 |
| 1М4Ш-240-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4Ш-240-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 240 | Iimp [А]: 720 |
| 1М4Ш-300-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М4Ш-360-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4Ш-360-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 360 | Iimp [А]: 1080 |
| 1М4Ш-60-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Общий катод-анод | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М5БВД-100-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М5БВД-150-12 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М5БВД-150-12-М1 |  | Корпус (тип): М1 | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М5БВД-300-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М5БВД-300-12-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М5БВД-50-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 25 | Iimp [А]: 75 |
| 1М5БВД-60-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 30 | Iimp [А]: 90 |
| 1М5БВД-80-4-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Однофазный мост | Тип: БВД | Vbr [В]: 400 | Iav [А]: 40 | Iimp [А]: 120 |
| 1М5Ш-120-2 |  | Корпус (тип): ВМ | Схема: Однофазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М5Ш-120-2-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Однофазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М5Ш-240-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Однофазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М5Ш-240-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Однофазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М5Ш-360-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Однофазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 180 | Iimp [А]: 540 |
| 1М5Ш-360-2-М1 | | Корпус (тип): М1 | Схема: Однофазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 180 | Iimp [А]: 540 |
| 1М6Ш-180-2 |  | Корпус (тип): ДМ | Схема: Трехфазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 60 | Iimp [А]: 180 |
| 1М6Ш-360-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Трехфазный мост | Тип: Шоттки | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 120 | Iimp [А]: 360 |
| 1М9-100-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М9-100-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М9-100-1-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М9-100-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М9-100-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М9-100-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 100 | Iimp [А]: 300 |
| 1М9-150-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 150 | Iimp [А]: 450 |
| 1М9-200-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М9-200-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М9-200-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М9-200-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М9-200-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 200 | Iimp [А]: 600 |
| 1М9-250-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 250 | Iimp [А]: 750 |
| 1М9-250-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 250 | Iimp [А]: 750 |
| 1М9-300-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М9-300-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М9-300-12 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М9-300-2 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М9-300-6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 300 | Iimp [А]: 900 |
| 1М9-400-0,6 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 400 | Iimp [А]: 1200 |
| 1М9-400-1 | | Корпус (тип): ДМ | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 400 | Iimp [А]: 1200 |
| 1М9-50-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М9-50-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М9-50-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М9-50-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 50 | Iimp [А]: 150 |
| 1М9-75-0,6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 60 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-75-1 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 100 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-75-12 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-75-12-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 1200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-75-2 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-75-6 | | Корпус (тип): Е2 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-75-6-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: IGBT | Vbr [В]: 600 | Iav [А]: 75 | Iimp [А]: 225 |
| 1М9-80-2-М3 | | Корпус (тип): М3 | Схема: Одиночный транзистор | Тип: MOSFET | Vbr [В]: 200 | Iav [А]: 80 | Iimp [А]: 240 |
