Силовой транзисторный модуль предназначен для работы в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры спец..
Силовой транзисторный модуль предназначен для работы в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры спец..
Силовой транзисторный модуль предназначен для работы в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры спец..
Силовой транзисторный модуль предназначен для работы в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры спец..
Силовой транзисторный модуль предназначен для работы в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры спец..
Силовой транзисторный модуль предназначен для работы в ключевых стабилизаторах, импульсных источниках электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой и другой аппаратуры спец..
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 300 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 300 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 300 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 300 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
MOSFET модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 300 кГц.
..
IGBT модуль предназначен для коммутации мощных нагрузок и применения в составе мощных преобразователей с большой частотой переключения.
Частота переключения до 100 кГц.
..
0.00 р.
Показано с 1 по 24 из 33 (всего 2 страниц)
Остались вопросы
или нужна консультация?
Позвоните по номеру телефона:8(4862)44-03-48Мы с радостью ответим на все вопросы!