Статьи

Защита силового транзистора (модуля IGBT или модуля MOSFET) – это одна из основных задач при разработке практически любого преобразователя на основе транзисторов с полевым управлением, что связано, прежде всего, с основополагающими частотными свойствами такого рода устройств. Эту защиты можно разделить на две большие группы: защиту от перенапряжения и защиту от перегрева (в том числе из-за перегрузки по току). В данной статье речь пойдёт о первом виде защиты.

Статья продолжает тему практической разработки преобразователя и теперь речь пойдёт о цепях управления. Под цепями управления здесь подразумевается часть схемы непосредственно подключаемая к затвору силового транзистора. Задача статьи аналогично первой части – по возможности предостеречь, указать распространённые ошибки, возникающие ещё на этапе эскизного проектирования преобразователя.

Каждому из нас известно, что микроконтроллеры с каждым днём всё больше входят в нашу жизнь. Эти устройства получили широкое применение практически во всех сферах деятельности человека в основном благодаря тому, что в одной микросхеме реализован богатый функционал готовых блоков таких как: 1) Таймеры; 2) Компараторы; 3) АЦП; 4) Комплементарный генератор; 5) ЦАП;6) нтерфейсы (SPI,I2C,USART); 7) Формирователи сигналов широтно-импульсной модуляции.