其中包括Microsemi，Semikron和Infineon型号的电子控制设备及类似模块。驱动由不同版本的设备构成：”Semitrans2”, “Semitrans4”, “sp4”, “sp6”, “Econopack2”, “Econopack3”, “Easypack” 驱动的操作应在不超过1700V电压，400A电流下进行。
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类型 |
线路 | 描述 | U,V | I,А | 封装 | 数据表 |
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Semikron和Infineon模块类似物在E2版本 |
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| М10 |   |
下关键码 | <1200 | <150 |
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| М11 |  |
上关键码 | <1200 | <150 | ||
| М12 |  |
半桥梁 | <1200 | <150 | ||
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Semikron和Infineon模块类似物在E3版本 |
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| М9 |  |
单晶体管 | <1200 | <600 |
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| М10 | |
下关键码 | <1200 | <400 | ||
| М11 | |
上关键码 | <1200 | <400 | ||
| М12 | |
半桥梁 | <1200 | <600 | ||
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Microsemi模块类似物在M1版本 |
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| М10 | |
下关键码 | <1700 | <600 |
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| М11 | |
上关键码 | <1700 | <600 | ||
| М12 | |
半桥梁 | <1700 | <600 | ||
| М12.1 |  |
背对背连接而成晶体管 |
<1700 | <600 | ||
| М13А1 |  |
三电平逆变器 | <1700 | <150 | ||
| М13А4 |  |
整流桥和断路器 |
<1200 | <100 | ||
| М13А5 |  |
三电平逆变器 | <1700 | <300 | ||
| М13B |  |
H-桥梁 | <1700 | <200 | ||
| М13B1 |  |
斜交桥 | <1700 | <200 | ||
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Microsemi模块类似物在M2版本 |
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| М10 | |
下关键码 | <1200 | <300 |
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| М11 | |
上关键码 | <1200 |
<300 | ||
| М12 | |
半桥梁 | <1200 | <300 | ||
| М12.1 | |
背对背连接而成晶体管 |
<1200 |
<200 | ||
| М13B | |
H-桥梁 | <1200 | <150 | ||
| М13B1 | |
斜交桥 | <1200 | <150 | ||
| М13Е |  |
整流桥和断路器 |
<1200 | <50 | ||
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Infineon模块类似物在S1,S2,S3版本 |
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| М13А |  |
三相逆变器 | <1200 | <200 |
S1 Dimensional drawing cases S1 |
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| М13B | |
二相逆变器 | <1200 | <200 |
S1 Dimensional drawing cases S1 |
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Infineon模块类似物在S4,S5版本 |
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| М13А |  |
三相逆变器 | <1200 | <75 |
S4 Dimensional drawing cases S4 |
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| М13А1 |  |
三相逆变器和三相桥梁 |
<1200 | <30 |
S4 Dimensional drawing cases S4 |
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| М13А2 |  |
三相逆变器和单相桥梁 |
<1200 | <30 | ||
| М13B |  |
二相逆变器 | <1200 | <30 | ||
| М13D |  |
三电平逆变器 | <1200 | <75 |
S4 Dimensional drawing cases S4 |
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