Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

Изделия специального назначения узкоцелевые. Модули без встроенного управления

               Модули стойкие к спецвоздействиям без управления представлены сборками MOSFET- и IGBT-транзисторов, быстровосстанавливающихся диодов и диодов Шоттки. Модули предназначены для работы в транзисторных и диодных преобразователях с пиковым напряжением до 1200 В и током нагрузки до 240 А с внешними схемами управления. В модулях используются комплектующие имеющие приёмку «5».

              Данные модули не являются комплектующими изделиями межотраслевого применения (КИМП) по ГОСТ РВ 51540-2005 и не входят в "Перечень электронной компонентной базы, разрешенной для применения при разработке, модернизации, производстве и эксплуатации вооружения, военной и специальной техники" (Перечень ЭКБ 02-2016). Эти изделия разрабатывались для применения в конкретных образцах ВВТ со специфическими требованиями назначения и применения по условиям ВВФ, поставка их возможна после согласования технических условий заказывающим предприятием и военным представительством при нем. (ГОСТ 2.114-2016 п.п.6.2, 6.7 раздела Порядок согласования и утверждения технических условий).

Тип   Схема Описание U,В I,А Корпус Паспорт
На основе MOSFET-транзисторов

 

5М9

 

 

 

                                  

 

 

 

Одиночный транзистор

60, 100, 200
50, 75, 100

Е2

  PDF 
200, 250, 300, 400  ДМ   PDF 
5М9-Т
200
200 ДМ PDF
400 ДМ PDF

 

5М12

 

                                  


 

Полумост

 

60, 100, 200

25, 50, 75, 

Е2

 PDF
100, 150, 200 ДМ   PDF 

 

5М12.1

 

                                  

Два встречно включенных

транзистора  


 

 60, 100, 200

 25, 50, 75   Е2  PDF
100, 150, 200   ДМ   PDF 
На основе IGBT-транзисторов
5М9                                    Одиночный транзистор 600,1200
75

Е2

  PDF 
100, 150, 200, 300 ДМ   PDF 
5М10
                                  
Нижний ключ
600, 1200

75

Е2

 PDF
100, 150, 200

ДМ

 PDF
1200

150 М1 PDF
150 Е3 PDF

 

 

5М11

                                  
Верхний ключ
600, 1200

75

Е2

  PDF 
100, 150, 200

ДМ

 PDF
1200
150

М1

 PDF
150

 Е3

PDF

 

5М12

                                   Полумост
600, 1200

100, 150, 200

ДМ

 PDF
75 Е2   PDF 

 

1200

 150  М1 PDF
150 Е3 PDF

 

5М12.1

 

                                  

Два встречно включенных

транзистора  

600, 1200 75  Е2   PDF
 100, 150 ДМ   PDF
На основе диодов Шоттки

 

5М4Ш

                                  

 

Общий катод-анод

 

 

 

 

 

 

 

 

200


60, 120, 180

Е2

PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М4.1Ш

                                  

 

Одиночный диод

60, 120, 180

Е2

PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М4.2Ш

                                  

 

Общий катод

60, 120, 180

Е2

PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М4.3Ш

                                   

 

Общий анод

60, 120, 180 Е2 PDF
240, 300, 360 ДМ PDF

 

5М5Ш

                                  

 

Однофазный диодный мост

 

200

120

ВМ

  PDF 
240, 360 ДМ   PDF 
5М6Ш
                                  
Трехфазный диодный мост
200 180, 360

ДМ

 PDF
На основе БВД

 

5М4БВД

                                  

 

Общий катод-анод

 

 

 

 

 

 

 

 

1200


75, 150

Е2

PDF
200, 300 ДМ PDF

 

5М4.1БВД

                                  

 

Одиночный диод

75, 100

Е2

PDF
200, 300, 450 ДМ PDF

 

5М4.2БВД

                                  

 

Общий катод

75, 100

Е2

PDF
200, 300 ДМ PDF

 

5М4.3БВД

                                   

 

Общий анод

75, 100 Е2 PDF
200, 300 ДМ PDF

 5М5БВД

                                  

Однофазный диодный мост

 1200

150, 300

ДМ

  PDF 

 

 

 

 

 

mail@electrum-av.com

Top Desktop version