Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

 

Полумост на основе карбидокремниевых транзисторов М12Sic

 

1

Модули М12Sic– MOSFET SiC модули на основе карбидокремниевых MOSFET-транзисторов и БВД-диодов, представляют собой сборку двух последовательно-включенных MOSFET-транзисторов зашунтированных обратными БВД-диодами, предназначенные для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей с максимальным пиковым напряжением до 1200 В и постоянным током до 100 А

 

 

 

Динамические характеристики
Входная емкость, пФ Ciss   9370 10500  Vgs=0В, Vds=25В , f=1MГц  
Выходная емкость, пФ  Coss  3300  4000
Проходная емкость, пФ  Crss  168  200
Время задержки включения, нс  td(on)  80  100

Vds=600В, Vgs=-5/15В,Id=100A,

Ld=250мГц, Rg=4.7 Ом      

Время нарастания, нс  tr 88   100
Время задержки выключения, нс  td(off)  96  120
Время спада, нс  tf  56  70
Энергия потерь включения, мДЖ  Eon  7,35  
Энергия потерь выключения, мДЖ  Eoff  6,7  
Общий заряд затвора, нКл  Qg  450  800  Vds=600 В , Vds=-5/15 В, Id=100A

 

 2

 

     см.паспорт изделия

mail@electrum-av.com

Top Desktop version