Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

 

Одиночный ключ М9

1

Модули М9одиночный MOSFET-транзистор со встроенным обратным диодом. Модуль выпускается в следующих вариантах:

 

Пиковое напряжения 40 В с рядом постоянного тока 100,200,300,400,500 А.

Пиковое напряжения 60 В с рядом постоянного тока 150,220,300,360,450 А.

Пиковое напряжения 100 В с рядом постоянного тока 120,160,200,250,300,400 А.

Пиковое напряжения 200 В с рядом постоянного тока 120,160,200,240,320,400 А.

 

Пиковое напряжения 250 В с рядом постоянного тока 120,150,200,240,300 А.

 

Тип модуля Ток, А Класс напряжения
0.4 0.6 1 2 2.5

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

  М9

100 Рис.2        
120     Рис.3 Рис.1 Рис.3
150   Рис.3     Рис.3
160     Рис.3 Рис.1  
200 Рис.3   Рис.1 Рис.1 Рис.1
220   Рис.3      
240       Рис.1 Рис.1
250     Рис.1    
300 Рис.3 Рис.1 Рис.1   Рис.1
320       Рис.1  
360   Рис.1      
400 Рис.1   Рис.1 Рис.1  
450   Рис.1      
500 Рис.1        

 

2

 

 

 

                     Рисунок 1                         Рисунок 2                        Рисунок 3

 

      см.паспорт изделия

 

 

mail@electrum-av.com

Top Desktop version