Igbt транзисторы,драйверы транзисторов, драйверы тиристоров

Switch to desktop Register Login

Изделия с приемкой ОТК с расширенным температурным диапазоном без встроенного управления

 

               Модули с приемкой ОТК с расширенным температурным диапазоном без управления представлены сборками MOSFET- и IGBT-транзисторов, быстровосстанавливающихся диодов и диодов Шоттки. Модули предназначены для работы в транзисторных и диодных преобразователях с пиковым напряжением до 1200 В и током нагрузки до 240 А с внешними схемами управления. 

              Данные модули являются полными аналогами изделий специального назначения узкоцелевых.

 

Тип   Схема Описание U,В I,А Корпус Паспорт
На основе MOSFET-транзисторов

 

1М9

 

 

Одиночный транзистор

 

60, 100, 200

50, 75, 100

Е2 

  PDF 
200, 250, 300, 400  ДМ   PDF 

 

1М12

 

 

Полумост

 

60, 100, 200

25, 50, 75

Е2

 PDF
100, 150, 200 ДМ   PDF 

 

1М12.1

 

Два встречно включенных

транзистора  

 

 60, 100, 200

 25, 50, 75  Е2  PDF
100, 150, 200   ДМ   PDF 
На основе IGBT-транзисторов

 

1М9

 

 

Одиночный транзистор

 

600,1200

75

Е2

  PDF 
100, 150, 200, 300 ДМ   PDF 

 

 

 

1М10

 

 

 

 

Нижний ключ

 

600, 1200

75

Е2

 PDF
100, 150, 200

ДМ

 PDF

 

1200

150 М1 PDF
150 Е3 PDF

 

 

 

1М11

 

 

 

 

Верхний ключ

 

600, 1200

75

Е2

  PDF 
100, 150, 200

ДМ

 PDF

 

1200

150

М1

 PDF
150

 Е3

PDF

 

 

 

1М12

 

 

 

 

Полумост

 

600, 1200

100, 150, 200

ДМ

 PDF
75 Е2   PDF 

 

 

1200

 150  М1 PDF
150 Е3 PDF

 

1М12.1

 

Два встречно включенных

транзистора  

 

600, 1200

75  Е2    PDF
 100, 150 ДМ    PDF

 

 

mail@electrum-av.com

Top Desktop version